<th id="5nh9l"></th><strike id="5nh9l"></strike><th id="5nh9l"><noframes id="5nh9l"><th id="5nh9l"></th><strike id="5nh9l"></strike>
<progress id="5nh9l"><noframes id="5nh9l"><th id="5nh9l"><noframes id="5nh9l">
<th id="5nh9l"></th> <strike id="5nh9l"><noframes id="5nh9l"><span id="5nh9l"></span>
<progress id="5nh9l"><noframes id="5nh9l"><span id="5nh9l"><noframes id="5nh9l"><span id="5nh9l"></span><strike id="5nh9l"><noframes id="5nh9l"><strike id="5nh9l"></strike>
<span id="5nh9l"><noframes id="5nh9l">
<span id="5nh9l"><noframes id="5nh9l">
<span id="5nh9l"></span><span id="5nh9l"><video id="5nh9l"></video></span>
<th id="5nh9l"><noframes id="5nh9l"><th id="5nh9l"></th>
<progress id="5nh9l"><noframes id="5nh9l">
  • 《工程索引》(EI)刊源期刊
  • 中文核心期刊
  • 中國科技論文統計源期刊
  • 中國科學引文數據庫來源期刊

留言板

尊敬的讀者、作者、審稿人, 關于本刊的投稿、審稿、編輯和出版的任何問題, 您可以本頁添加留言。我們將盡快給您答復。謝謝您的支持!

姓名
郵箱
手機號碼
標題
留言內容
驗證碼

(SiC)TiN/Cu復合材料的顯微組織和導電性能

章林 路新 何新波 曲選輝 秦明禮 朱鴻民

章林, 路新, 何新波, 曲選輝, 秦明禮, 朱鴻民. (SiC)TiN/Cu復合材料的顯微組織和導電性能[J]. 工程科學學報, 2012, 34(12): 1410-1415. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2012.12.002
引用本文: 章林, 路新, 何新波, 曲選輝, 秦明禮, 朱鴻民. (SiC)TiN/Cu復合材料的顯微組織和導電性能[J]. 工程科學學報, 2012, 34(12): 1410-1415. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2012.12.002
ZHANG Lin, LU Xin, HE Xin-bo, QU Xuan-hui, QIN Ming-li, ZHU Hong-min. Microstructure and electric conductivity of(SiC)TiN/Cu composites[J]. Chinese Journal of Engineering, 2012, 34(12): 1410-1415. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2012.12.002
Citation: ZHANG Lin, LU Xin, HE Xin-bo, QU Xuan-hui, QIN Ming-li, ZHU Hong-min. Microstructure and electric conductivity of(SiC)TiN/Cu composites[J]. Chinese Journal of Engineering, 2012, 34(12): 1410-1415. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2012.12.002

(SiC)TiN/Cu復合材料的顯微組織和導電性能

doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2012.12.002
詳細信息
    通訊作者:

    章林,E-mail:zhanglincsu@163.com

  • 中圖分類號: TB333

Microstructure and electric conductivity of(SiC)TiN/Cu composites

  • 摘要: 以醇鹽水解-氨氣氮化法在SiC顆粒表面包覆TiN,然后采用放電等離子體燒結制備出(SiC)TiN/Cu復合材料.結果表明:醇鹽水解-氨氣氮化法能夠制備出TiN包覆SiC復合粉末,TiN包覆層均勻連續,TiN顆粒的粒徑為30~80nm.TiN包覆層能夠促進復合材料的致密化并改善界面結合.(SiC)TiN/Cu復合材料的電導率介于15.5~35.7 m·Ω-1·mm-2之間,并且隨著SiC體積分數的增加而降低.TiN包覆層和基體中網絡結構TiN的存在能夠有效提高復合材料的電導率.復合材料的電導率較接近P.G模型的預測值.

     

  • 加載中
計量
  • 文章訪問數:  247
  • HTML全文瀏覽量:  83
  • PDF下載量:  3
  • 被引次數: 0
出版歷程
  • 收稿日期:  2011-11-01
  • 網絡出版日期:  2021-07-30

目錄

    /

    返回文章
    返回
    <th id="5nh9l"></th><strike id="5nh9l"></strike><th id="5nh9l"><noframes id="5nh9l"><th id="5nh9l"></th><strike id="5nh9l"></strike>
    <progress id="5nh9l"><noframes id="5nh9l"><th id="5nh9l"><noframes id="5nh9l">
    <th id="5nh9l"></th> <strike id="5nh9l"><noframes id="5nh9l"><span id="5nh9l"></span>
    <progress id="5nh9l"><noframes id="5nh9l"><span id="5nh9l"><noframes id="5nh9l"><span id="5nh9l"></span><strike id="5nh9l"><noframes id="5nh9l"><strike id="5nh9l"></strike>
    <span id="5nh9l"><noframes id="5nh9l">
    <span id="5nh9l"><noframes id="5nh9l">
    <span id="5nh9l"></span><span id="5nh9l"><video id="5nh9l"></video></span>
    <th id="5nh9l"><noframes id="5nh9l"><th id="5nh9l"></th>
    <progress id="5nh9l"><noframes id="5nh9l">
    259luxu-164