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基底預處理對水熱法制備SnO2納米陣列生長的影響

王亞麗 郭敏 張梅 彭犇 王習東

王亞麗, 郭敏, 張梅, 彭犇, 王習東. 基底預處理對水熱法制備SnO2納米陣列生長的影響[J]. 工程科學學報, 2010, 32(4): 488-493. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2010.04.013
引用本文: 王亞麗, 郭敏, 張梅, 彭犇, 王習東. 基底預處理對水熱法制備SnO2納米陣列生長的影響[J]. 工程科學學報, 2010, 32(4): 488-493. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2010.04.013
WANG Ya-li, GUO Min, ZHANG Mei, PENG Ben, WANG Xi-dong. Effect of substrate pretreatments on the growth of SnO_2 nanowire arrays by hydrothermal method[J]. Chinese Journal of Engineering, 2010, 32(4): 488-493. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2010.04.013
Citation: WANG Ya-li, GUO Min, ZHANG Mei, PENG Ben, WANG Xi-dong. Effect of substrate pretreatments on the growth of SnO_2 nanowire arrays by hydrothermal method[J]. Chinese Journal of Engineering, 2010, 32(4): 488-493. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2010.04.013

基底預處理對水熱法制備SnO2納米陣列生長的影響

doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2010.04.013
基金項目: 

國家自然科學基金資助項目(No.50872011)

國家重點基礎研究發展計劃資助項目(No.2007CB613608)

教育部新世紀優秀人才支持計劃資助項目(No.NCET-07-0071,NCET-08-0723)

詳細信息
    作者簡介:

    王亞麗(1980-),女,博士研究生;王習東(1961-),男,教授,博士生導師,E-mail:xidong@pku.edu.cn

  • 中圖分類號: TN304.2+1

Effect of substrate pretreatments on the growth of SnO_2 nanowire arrays by hydrothermal method

  • 摘要: 采用水熱法,在磁控濺射鋪膜后的ITO-基底(MST-基底)上制備出取向一致的SnO2納米線陣列.用X射線衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)和高分辨透射電子顯微鏡(HRTEM)等手段對制備的納米線陣列進行了表征.考察了不同的基底鋪膜方式和退火溫度對產物形貌、尺寸和取向性的影響.結果表明,不同的基底鋪膜方法對產物的形貌和尺寸有較大的影響:在磁控濺射法鋪膜的基底上生長出SnO2納米線陣列;在旋涂法鋪膜的基底上生長出SnO2納米棒陣列;在未鋪膜基底上生長出SnO2納米顆粒薄膜.另外,退火溫度對生長在磁控濺射鋪膜基底上的產物的取向性有較大的影響,隨著退火溫度的升高,產物的取向性增強.

     

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出版歷程
  • 收稿日期:  2009-08-31

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