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玻璃包覆FeCoSiB微絲包覆層化學去除方法

王成鐸 張志豪 王宇 劉雪峰 謝建新

王成鐸, 張志豪, 王宇, 劉雪峰, 謝建新. 玻璃包覆FeCoSiB微絲包覆層化學去除方法[J]. 工程科學學報, 2009, 31(5): 602-607. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2009.05.006
引用本文: 王成鐸, 張志豪, 王宇, 劉雪峰, 謝建新. 玻璃包覆FeCoSiB微絲包覆層化學去除方法[J]. 工程科學學報, 2009, 31(5): 602-607. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2009.05.006
WANG Cheng-duo, ZHANG Zhi-hao, WANG Yu, LIU Xue-feng, XIE Jian-xin. Coating removal of glass-coated FeCoSiB microwires by chemical method[J]. Chinese Journal of Engineering, 2009, 31(5): 602-607. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2009.05.006
Citation: WANG Cheng-duo, ZHANG Zhi-hao, WANG Yu, LIU Xue-feng, XIE Jian-xin. Coating removal of glass-coated FeCoSiB microwires by chemical method[J]. Chinese Journal of Engineering, 2009, 31(5): 602-607. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2009.05.006

玻璃包覆FeCoSiB微絲包覆層化學去除方法

doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2009.05.006
詳細信息
    作者簡介:

    王成鐸(1979-),男,博士研究生;謝建新(1958-),男,教授,博士生導師,E-mail:jxxie@mater.ustb.edu.cn

  • 中圖分類號: TB302.2;TG174.4

Coating removal of glass-coated FeCoSiB microwires by chemical method

  • 摘要:

    以玻璃包覆FeCoSiB合金微絲為對象,研究了氫氟酸含量和反應溫度對包覆層去除過程的影響,以及緩蝕劑對Fe-CoSiB芯絲的保護效果.結果表明:在反應溫度為25℃的條件下,當所采用的HF質量分數從10%增加到40%時,玻璃包覆層去除速度從0.005μm·s-1提高至0.076μm·s-1;在HF質量分數為40%的條件下,當反應溫度從10℃升高到45℃時,玻璃包覆層去除速度從0.033μm·s-1提高到0.234μm·s-1;反應溫度為20~25℃時,用質量分數40%的氫氟酸溶液去除厚度范圍為7.5~9.0μm高硼硅玻璃包覆層的最佳時間為150s;硫氰酸鈉及硫氰酸鈉+烏洛托品作為緩蝕劑均可顯著抑制氫氟酸溶液對芯絲的腐蝕,硫氰酸鈉+烏洛托品還可有效減少金屬吸氫,有利于防止芯絲力學性能的劣化.

     

  • 加載中
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出版歷程
  • 收稿日期:  2008-09-18
  • 網絡出版日期:  2021-08-09

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