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懸浮床氮化硅合成熱過程的實驗研究與數值模擬

尹少武 王立 孫淑鳳 童莉葛

尹少武, 王立, 孫淑鳳, 童莉葛. 懸浮床氮化硅合成熱過程的實驗研究與數值模擬[J]. 工程科學學報, 2008, 30(10): 1169-1173,1193. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2008.10.007
引用本文: 尹少武, 王立, 孫淑鳳, 童莉葛. 懸浮床氮化硅合成熱過程的實驗研究與數值模擬[J]. 工程科學學報, 2008, 30(10): 1169-1173,1193. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2008.10.007
YIN Shaowu, WANG Li, SUN Shufeng, TONG Lige. Experiment research and numerical simulation of thermal process in a suspended bed for Si3N4 synthesis[J]. Chinese Journal of Engineering, 2008, 30(10): 1169-1173,1193. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2008.10.007
Citation: YIN Shaowu, WANG Li, SUN Shufeng, TONG Lige. Experiment research and numerical simulation of thermal process in a suspended bed for Si3N4 synthesis[J]. Chinese Journal of Engineering, 2008, 30(10): 1169-1173,1193. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2008.10.007

懸浮床氮化硅合成熱過程的實驗研究與數值模擬

doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2008.10.007
詳細信息
    作者簡介:

    尹少武(1979-),男,博士研究生;王立(1956-),男,教授,博士生導師,E-mail:liwang@me.ustb.edu.cn.

  • 中圖分類號: TK124

Experiment research and numerical simulation of thermal process in a suspended bed for Si3N4 synthesis

  • 摘要: 針對基于流態化技術利用硅粉直接氮化合成氮化硅粉的新工藝,建立了懸浮床內熱過程的二維數學模型,并借助CFD商業軟件FLUENT對懸浮床內熱過程進行了數值模擬,分析了氮氣速度、粉氣比和氮化溫度等因素對溫度場和硅轉化率的影響.結果表明,模擬計算值與實驗值誤差小于5%,該模型可以用來預測懸浮床內的熱過程.在本文條件下,當以平均粒徑2.7μm的硅粉為原料、氮化溫度為1 380℃、氮化時間為54.5 s時,硅的轉化率為22.5%.模型預測表明,如果將氮化溫度升至1 450℃、氮化時間延長至7.1 min,那么硅轉化率可達98.6%,氮化硅純度達98%以上.

     

  • 加載中
計量
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出版歷程
  • 收稿日期:  2007-09-28
  • 修回日期:  2007-12-06
  • 網絡出版日期:  2021-08-06

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