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原位合成MoSi2/SiC復合材料的組織缺陷

傅曉偉 楊王玥 張來啟 孫祖慶 朱靜

傅曉偉, 楊王玥, 張來啟, 孫祖慶, 朱靜. 原位合成MoSi2/SiC復合材料的組織缺陷[J]. 工程科學學報, 2001, 23(3): 249-252. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2001.03.042
引用本文: 傅曉偉, 楊王玥, 張來啟, 孫祖慶, 朱靜. 原位合成MoSi2/SiC復合材料的組織缺陷[J]. 工程科學學報, 2001, 23(3): 249-252. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2001.03.042
FU Xiaowei, YANG Wangyue, ZHANG Laiqi, SUN Zuqing, ZHU Jing. Microstructure Defects of MoSi2-SiC Composite Synthesized in Situ[J]. Chinese Journal of Engineering, 2001, 23(3): 249-252. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2001.03.042
Citation: FU Xiaowei, YANG Wangyue, ZHANG Laiqi, SUN Zuqing, ZHU Jing. Microstructure Defects of MoSi2-SiC Composite Synthesized in Situ[J]. Chinese Journal of Engineering, 2001, 23(3): 249-252. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2001.03.042

原位合成MoSi2/SiC復合材料的組織缺陷

doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2001.03.042
基金項目: 

國家自然科學基金(No.59895150-04-02)

詳細信息
    作者簡介:

    傅曉偉 男,28歲,講師,博士

  • 中圖分類號: TB332;TG148

Microstructure Defects of MoSi2-SiC Composite Synthesized in Situ

  • 摘要: TEM和HREM研究表明,原位合成MoSi2基復合材料的組織中,基體MoSi2中存在較多的位錯,而且尤以MoSi2與SiC的界面處位錯最為集中,SiC顆粒的內部缺陷的主要形式為孿晶和層錯.納米力學探針分析表明,MoSi2/SiC界面附近存在明顯的硬度梯度,在材料制備冷卻過程中,因MoSi2基體與SiC顆粒之間的熱膨脹系數(CTE)的差別而導致的其中的殘余熱應力是造成上述組織特征的原因.

     

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出版歷程
  • 收稿日期:  2001-01-12

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