摘要:
通過采用一步納米金屬顆粒輔助化學刻蝕法(MACE)成功制備了多孔硅納米線, 并主要研究了硅片摻雜濃度、氧化劑AgNO3濃度以及HF濃度對硅納米線陣列形貌結構的影響規律. 研究結果表明: 較高的摻雜濃度更有利于刻蝕反應的發生和硅納米線陣列的形成, 這是由于高摻雜濃度在硅片表面引入了更多的雜質和缺陷, 同時高摻雜濃度的硅片與溶液界面形成的肖特基勢壘更低, 更容易氧化溶解形成硅納米線陣列; 在一步金屬輔助化學刻蝕法制備多孔硅納米線陣列的過程中, 溶液中AgNO3濃度對于其刻蝕形貌和結構起到主要作用, AgNO3濃度過低或過高時, 硅片表面會形成腐蝕凹坑或坍塌的納米線簇, AgNO3濃度為0.02 mol·L-1時, 硅納米線會生長變長, 最終形成多孔硅納米線陣列. 隨著硅納米線的增長, 納米線之間的毛細應力會使得一些納米線頂部出現團聚現象; 且當HF溶液濃度超過4.6 mol·L-1時, 隨著HF酸濃度的增加, 硅納米線的長度隨之增加. 同時, 硅納米線的頂部有多孔結構生成, 且硅納米線的孔隙率隨HF濃度的增加而增多, 這是由于納米線頂部大量的Ag+隨機形核, 導致硅納米線側向腐蝕的結果. 最后, 根據實驗現象提出相應模型對多孔硅納米線的形成過程進行了解釋, 歸因于銀離子的沉積和硅基底的氧化溶解.