摘要:
在氣體循環條件下采用H2、CH4和Ar的混合氣體,利用100kW直流電弧等離子噴射CVD系統,在850和950℃下在Mo襯底上沉積了不同厚度的金剛石膜;并利用掃描電鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)和Raman光譜對膜的形貌、品質、取向和殘余應力進行了分析.結果表明:在850℃下,隨著金剛石膜厚度的增加,膜的品質不斷提高,殘余應力逐漸減小,且殘余應力為拉應力,膜的生長穩定性很好;在反應氣體流速不變的條件下,相比950℃沉積的厚度為120μm的金剛石膜,在850℃下沉積的厚度為110μm的金剛石膜有更好的生長穩定性,膜的品質更高,殘余應力更小.