摘要: 本文用薄晶體電鏡,x射線衍射形貌和金相腐蝕坑法研究了氫區熔硅單晶熱處理缺陷形成機理。
通過變溫熱處理,發現氫區熔硅單晶熱處理缺陷主要是由氫沉淀引起的。沉淀過程可能首先是Si-H鍵分解,然后是氫的擴散聚集,測出沉淀過程激活能是56.000±3000卡/克分子,它可能是Si-H鍵的分解激活能。沉淀物的析出面是111晶面,幾何形態起始近似球狀,然后變成扁橢球,最后是沿<110>方向拉長的片狀沉淀物。
隨著沉淀物的長大,在一定溫度下(約600-700℃)會在沉淀物周圍發射稜柱位錯環,其分布形態和熱處理溫度有關。高溫熱處理時,沉淀物周圍能發射出高對稱的多組稜柱位錯環,形成"星形"位錯群。稜柱位錯的稜柱面是111晶面,柏氏矢量是a╱2<110>。發射方向是<110>方向,位錯線是<110>方向。